Побудовано узагальнену експоненціальну модель, що враховує можливість одночасного існування декількох паралельних каналів розповсюдження світлової енергії екситонами. Детальне фізичне обгрунтування моделі здійснено на базі екситонів Френкеля. Нова модель зберігає всі переваги широко вживаної одно-експоненціальної моделі екситону, як однієї з небагатьох задач в теорії розповсюдження електро-магнітніх хвиль в обмежених просторово-диспергуючих середовищах, що мають точний розв'язок. В той же час вона суттєво розширює можливості досліджень нелокальних оптичних явищ в кристалах. В роботі запропонована модель використовується, зокрема, для одержання додаткових краєвих умов та рівняння балансу для потоку та густоти поляритонної енергії, а також для вирішення ряду інших проблем кристалооптики з просторовою дисперсією в спектральній області екситонних резонансів.

Просторовий розподіл та переважна орієнтація молекул білків у моношарі досліджена з застосуванням кінетики поверхневого плазмонного резонансу (ППР) та мікроскопії атомних сил (МАС) підчас адсорбції фібриногену людини на поверхню золота. У роботі проведена серія специфічних імунних реакцій щоб проаналізувати адсорбційно-конформаційний стан плівок фібриногену. Отримані результати демонструють прямий зв'язок кінетичних параметрів реакції антиген-антитіло з конформацією фібриногену на межі розподілу. Застосування МАС і ППР аналізів дало можливість визначити одно-, двох- та трьох молекулярні структурні сполуки фібриногену на межі розподілу. Адсорбція фібриногену на поверхню полікристалічного золота - це складний процес, що містить: розгортання, стимульоване поверхнею, само-збирання та адсорбцію, які відбуваються конкурентно у часі. Цей результат підтверджує перспективу запропонованого підходу у біосенсорній техніці для визначення просторового розподілу та біофункціональних властивостей специфічних білків, які адсорбуються з біологічних рідин.

Ємнісна спектроскопія використується для дослідження електронних властивостей само-організованих InAs квантових точок. Вимірювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емності, C(B), дозволяють досліджувати електростатичний профіль однобар'єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, які містять в AlAs бар'єрі шар само-організованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов'язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повністю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар'єрі, що, на нашу думку, пов'язано з іонізованими дефектами чи домішками, які обумовлені квантовими точками. Показано, що міра компенсації суттєво залежить від ростових умов.

Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей.

Досліджено механізм збудження фотолюмінесценції пористого кремнію методами фотолюмінесценції та інфрачервоного поглинання. Показано, що існує два типи спектрів збудження, які містять або дві смуги (видиму та ультрафіолетову), або тільки одну (ультрафіолетову) смугу. Вивчено залежності інтенсивностей кожної смуги від режимів електрохімічного травлення, а також їх поведінка у процесі старіння та термічного оброблення пористих шарів. Показано, що існують два канали збудження фотолюмінесценції. Видима смуга у спектрі збудження при 300 К пов'язується з поглинанням світла у речовинах, які адсорбовані на поверхні кремнієвих ниток.

Розглядається проблема розповсюдження оптичних вихорів в багатомодових волокнах. Показано яких структурних змін дізнають хвильова і променева поверхні при переході із вільного простору в середовище волокна. Записане рівняння неперервності для потоку кутового момента вихора в неоднорідному середовищі.

Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими - ПК шарами. Властивості ГП з'ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари - фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400-500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням.

Дається аналіз можливості розподілу рухомих точкових дефектів в напівпровіднику після дії на нього електричного поля до встановлення стаціонарних умов. Розглядаються два способи прикладання напруги: а) безпосередньо до зразка, б) до обкладинок конденсатора, між якими поміщається зразок. Модель також можна застосовувати для електричних полів будь-якої природи - як зовнішніх так і внутрішніх, що виникають, наприклад, на контакті метал-напівпровідник.

Вивчено вплив Ni і Se на кінетику кристалізації Ge:Sb:Te сплавів. Виявлено, що обидва елементи підвищують стабільність аморфної структури. Кінетика кристалізації при ізотермічній обробці показує, що Ni зменшує як бар'єр термічної кристалізації, так і швидкість кристалізації. Кристалізація зразків, які містять Se, також уповільнена, можливо завдяки більш сильній енергії зв'язку цього елементу в порівнянні з Te.

Ключ. слова: graded band-gap films, photoconductivity, CdHgTe, CdMnHgTe, vapor phase epitaxy, diffusion
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: gallium nitride, light emission, current-voltage characteristic, double injection
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: silicon, cutting pretreatment, critical point energy, broading parameter
Індекс рубрикатора НБУВ: К68

Рубрики:

Складання машин і механізмів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: Silicon-on-insulator, high-temperature, MOS-devices
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: random physical quantity, macro parameter, micro parameter, variance, electric current, radiation, thermal noise, shot noise, generation-recombination noise
Індекс рубрикатора НБУВ: В317.14

Рубрики:

Флюктуації

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: nanoclusters, size distribution function, interaction in the space of sizes, silicon-based light-emitting devices
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв'язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250 °С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600 °С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів.

Ключ. слова: Infrared luminescence, Hg_1-X Mn_X Te, exciton magnetic polaron
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: switching waves, thyristor-like structure, transient processes, controlling gate current, injection level
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: optical bistability, multiple quantum well heterostructures
Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + З973.5-044

Рубрики:

Плазмові коливання

Асоціативні комп'ютери

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ